[发明专利]双极非穿通功率半导体装置有效
| 申请号： | 201480047554.5 | 申请日： | 2014-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN105474400B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | V.博坦;J.沃贝基;K.斯蒂伊格勒 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶晓勇;刘春元<国际申请>=PCT/EP |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明涉及双极非穿通功率半导体装置(1)和对应制造方法。该装置包括半导体晶片(2)以及在晶片(2)的第一主侧(3)上形成的第一电极(35)和在与第一主侧相对的晶片的第二主侧(4)上形成的第二电极(45)。晶片包括不同导电类型的一对层，例如第一导电类型的漂移层(5)以及第二导电类型的第一层(6)，其对第一主侧设置在漂移层上，并且接触第一电极。晶片包括内区(7)以及包围内区的外区(8)。漂移层具有大于或等于外区中的厚度(562)的内区中的厚度(561)。第一层的厚度在内区与外区之间的过渡区(11)的范围上从内区中的第一层的第一段(61)的厚度(615)增加到外区中的最大厚度(625)，其中过渡区的宽度大于第一层的第一段的所述厚度的5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 双极非穿通 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种双极非穿通功率半导体装置(1)，包括半导体晶片(2)以及在所述晶片(2)的第一主侧(3)上形成的第一电极(35)和在与所述第一主侧(3)相对的所述晶片(2)的第二主侧(4)上形成的第二电极(45)，/n所述半导体晶片(2)包括具有不同导电类型的层的至少二层结构，/n所述至少二层结构包括/n- 第一导电类型的漂移层(5)，/n- 与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第一层(6)，其中所述第一层(6)对着所述第一主侧(3)设置在所述漂移层(5)上，并且接触所述第一电极(35)，以及/n所述半导体晶片(2)还包括/n- 具有厚度(75)的内区(7)和包围所述内区(7)、具有最大厚度(85)的外区(8)，所述最大厚度（85）是最大晶片厚度，其中所述最大厚度（85）在所述第一主侧（3）上大于所述内区（7）中的所述厚度（75），/n- 其中所述内区(7)中的所述漂移层(5)的厚度(561)大于或等于所述外区(8)中的所述漂移层(5)的厚度(562)，/n- 其中所述第一层(6)具有所述内区(7)中的第一段(61)和所述外区(8)中的第二段(62)，以及/n- 其中所述第一层(6)的厚度在所述内区(7)与所述外区(8)之间的过渡区(11)中从所述第一层(6)的所述第一段(61)的厚度(615)增加到所述第一层(6)的所述第二段(62)的最大厚度(625)，其特征在于/n- 其中所述第一层(6)的所述厚度在所述过渡区(11)范围上线性增加，其中所述过渡区(11)的宽度大于所述第一层(6)的所述第一段(61)的厚度(615)的5倍，或是所述第一层(6)的所述第一段(61)的所述厚度(615)的10至20倍。/n
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