[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201480047769.7 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105556608B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 宫川正;穗谷克彦;饭冢真理子;中泽崇;竹中博幸 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C5/02;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 贺月娇,李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置包括基元阵列(11)，其包括在以第一角度与第一方向相交的方向上延伸的多个第一工作区(11中的AA)；以及位线控制器(17B1)，其包括在以第二角度与第一方向相交的方向上延伸的多个第二工作区(17B1中的AA)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：基元阵列，其包括：多个电阻变化元件，其形成在半导体衬底上方；多个第一基元晶体管，其形成在所述半导体衬底上并且被设置为与所述电阻变化元件关联；多个第一栅电极，其被包括在所述第一基元晶体管中并且在第一方向上延伸；第一位线，其分别被电连接到所述电阻变化元件并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；第二位线，其分别被电连接到所述第一基元晶体管的电流路径的一端并且在所述第二方向上延伸；以及多个第一工作区，所述第一基元晶体管形成在所述第一工作区中，并且所述第一工作区在以第一角度与所述第一方向相交的方向上延伸；以及位线控制器，其包括：多个第二基元晶体管，其形成在所述半导体衬底上，并且每个所述第二基元晶体管具有一端被电连接到所述第一位线或所述第二位线的电流路径；多个第二栅电极，其被包括在所述第二基元晶体管中并且在所述第一方向上延伸；以及多个第二工作区，所述第二基元晶体管形成在所述第二工作区中，并且所述第二工作区在以第二角度与所述第一方向相交的方向上延伸。
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