[发明专利]用于对半导体晶圆进行等离子体切片的方法和设备在审
| 申请号： | 201480048001.1 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105493263A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 蒂埃里·拉泽兰德;大卫·佩斯-沃拉德;林内尔·马丁内斯;克里斯·约翰逊;鲁塞尔·韦斯特曼;戈登·格里夫纳 | 申请（专利权）人： | 等离子瑟姆有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陆弋;金洁 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于对衬底进行等离子体处理的方法，该方法包括：提供具有壁的处理室；提供与处理室的所述壁相邻的等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将工件加载到工件支撑件上，该工件具有支撑膜、框架和所述衬底；在衬底上提供至少两个切割区域，所述切割区域位于衬底上的所有相邻的器件结构之间；使用等离子体源产生等离子体；以及，使用所产生的等离子体处理所述工件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 对半 导体 进行 等离子体 切片 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于对衬底进行等离子体处理的方法，所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的所述壁相邻的等离子体源；在所述处理室内提供工件支撑件；将工件加载到所述工件支撑件上，所述工件具有支撑膜、框架和所述衬底；在所述衬底上提供至少两个切割区域，所述切割区域位于所述衬底上的所有相邻的器件结构之间；使用所述等离子体源产生等离子体；以及使用所产生的等离子体处理所述工件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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