[发明专利]热屏蔽装置、包括其的晶锭生长装置和使用其的晶锭生长方法在审
| 申请号： | 201480048043.5 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105492666A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 成瑨奎;崔日洙;金度延 | 申请（专利权）人： | LG矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张颖玲;胡春光 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及一种使用晶种由坩埚中容纳的硅熔体生长晶锭的装置，该装置包括：腔室，用于提供进行使晶锭生长的一系列过程的空间；设置在腔室内的坩埚；设置在坩埚的外侧的加热部件；固定晶种的晶种夹头；与晶种夹头连接的升降装置；以及设置在坩埚的上方的上部热屏蔽，上部热屏蔽具有长成的晶锭能够通过的孔，并且能够控制晶锭能够通过的孔尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 装置 包括 生长 使用 方法 | ||
【主权项】：
一种使用晶种由坩埚中容纳的硅熔体生长晶锭的晶锭生长装置，所述生长装置包括：腔室，提供进行使所述晶锭生长的一系列过程的空间；设置在所述腔室内的坩埚；设置在所述坩埚外部的加热单元；固定所述晶种的晶种夹头；与所述晶种夹头连接的升降单元；以及设置在所述坩埚上方的上部热屏蔽体，所述上部热屏蔽体具有长成的晶锭通过的孔，其中，所述孔的尺寸是可调节的。
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