[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201480048407.X | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105518879B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 成演准;丁圣勋;成俊昊;赵喜珍 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据实施例公开了一种发光器件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及光提取器，布置在所述发光结构上，所述光提取器包括：具有第一湿蚀刻速率的第一氮化物半导体层，布置在所述第一导电型半导体层上；具有第二湿蚀刻速率的第二氮化物半导体层，布置在所述第一氮化物半导体层上，以及具有第三湿蚀刻速率的第三氮化物半导体层，其中所述第一湿蚀刻速率和所述第三湿蚀刻速率比所述第二湿蚀刻速率低。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及光提取部，布置在所述发光结构上，其中所述光提取部包括：第一氮化物半导体层，布置在所述第一导电型半导体层上且具有第一湿蚀刻速率；以及第一不均匀结构，包括突起和凹部，所述突起包括布置在第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层以及布置在第二氮化物半导体层上的第三氮化物半导体层；以及第二不均匀结构，形成在所述第一不均匀结构的所述第三氮化物半导体层上，其中所述第二氮化物半导体层具有第二湿蚀刻速率，所述第三氮化物半导体层具有第三湿蚀刻速率，并且所述第一湿蚀刻速率和所述第三湿蚀刻速率比所述第二湿蚀刻速率低。
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