[发明专利]碳化硅外延衬底、制造碳化硅外延衬底的方法、制造碳化硅半导体器件的方法、碳化硅生长装置和碳化硅生长装置部件在审
| 申请号： | 201480048923.2 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN105579625A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 玄番润;西口太郎;土井秀之;松岛彰 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/42;C30B25/16;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延衬底(10)，其包含：基础衬底(1)，以及形成在所述基础衬底(1)上并包括所述主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延层(2)，所述第二主表面(2A)具有0.6nm或更低的表面粗糙度，在包括所述主表面(第二主表面(2A))的表面层处的所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的标准偏差与在所述表面层处所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的平均值之比，为15％或更低。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 衬底 制造 方法 半导体器件 生长 装置 部件 | ||
【主权项】：
一种具有主表面的碳化硅外延衬底，包括：基础衬底；以及形成在所述基础衬底上并且包括所述主表面的碳化硅外延层，所述主表面具有0.6nm或更低的表面粗糙度，在包括所述主表面的表面层处的所述碳化硅外延层中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底面内的标准偏差与在所述表面层处的所述碳化硅外延层中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底面内的平均值之比为15％或更低。
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