[发明专利]从硅碳化物先驱物来生产大块硅碳化物的方法和器具有效
| 申请号： | 201480049194.2 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN105518190B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 | 申请（专利权）人： | GTAT公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开一种生产硅碳化物的方法。本方法包括以下步骤：提供升华炉，其包括炉壳、至少一个位于炉壳外的加热元件、和位于炉壳内由绝热体包围的热区。热区包括具有位于下区域的硅碳化物先驱物和位于上区域的硅碳化物晶种的坩埚。热区经加热以升华硅碳化物先驱物，于硅碳化物晶种的底部表面形成硅碳化物。同样公开用以生产硅碳化物的升华炉以及所生产的硅碳化物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化物 先驱 生产 大块 方法 器具 | ||
【主权项】：
一种形成硅碳化物的方法，包括下列步骤：i)提供升华炉，其包括炉壳、至少一个位于该炉壳外的加热元件、和位于该炉壳内由绝热体包围的热区，该热区包括a)具有上区域和下区域的坩埚；b)密封该坩埚的坩埚罩；c)实质上为固体的硅碳化物先驱物混合物，其包括位于该坩埚之该下区域的硅碳化物，其中，该实质上为固体的硅碳化物先驱物混合物通过加热包括硅颗粒和碳颗粒的颗粒混合物所制备；以及d)位于该坩埚的该上区域的硅碳化物晶种，该硅碳化物晶种具有顶部表面和底部表面，该底部表面面向该实质上为固体的硅碳化物先驱物混合物。ii)以该加热元件加热该热区，以使该实质上为固体的硅碳化物先驱物混合物升华；以及iii)形成硅碳化物于该硅碳化物晶种的该底部表面。
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