[发明专利]具有低缺陷密度的大块硅碳化物有效
| 申请号： | 201480049200.4 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN105518191B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 | 申请（专利权）人： | GTAT公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭露一种生产硅碳化物的方法。本方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令该硅碳化物先驱物升华，在该硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生的硅碳化物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缺陷 密度 大块 碳化物 | ||
【主权项】：
一种在升华炉中所形成的硅碳化物梨晶，该硅碳化物梨晶具有包含至少两种碳质涂料的平坦实质圆形外侧表面、顺着与该平坦外侧表面平行的方向包含实质圆形截面形状的中间区段、以及与该平坦外侧表面对立的圆锥形外表面。
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