[发明专利]新形式的硅和其制备方法在审
| 申请号： | 201480049395.2 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105849042A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 蒂莫西·A.·斯特罗贝尔;达克·永·金;奥莱克山大·O.·克拉科维奇 | 申请（专利权）人： | 华盛顿卡耐基研究所 |
| 主分类号： | C01B33/00 | 分类号： | C01B33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅的新相，Si24，和其制备方法。Si24具有准‑直接带隙，其中直接带隙值为1.34eV，间接带隙值为1.3eV。本发明还涉及一种式Na4Si24的化合物和其制备方法。Na4Si24可以用作制备Si24的前体。 | ||
| 搜索关键词： | 新形式 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备Si24的方法，包括：通过在从约7GPa至约15GPa的压力和从约320℃至约1500℃的温度下使硅和钠的混合物反应而形成Na4Si24前体，在从约40℃至约500℃的温度下使所述Na4Si24前体经过真空条件以制备Si24。
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