[发明专利]使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201480049399.0 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105580116B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | R·古普塔;V·R·帕里姆;V·苏尔拉;C·安德森;N·斯塔福德 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 张双双;林柏楠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于在基材上的含Si层中等离子体蚀刻通道孔、栅槽、阶梯触点、电容器孔、接触孔等的含硫化合物，和使用它的等离子体蚀刻方法。等离子体蚀刻化合物可提供在含Si层与掩模材料之间改进的选择性，较少的对通道区域的损害、直垂直剖面和图案高纵横比结构中减少的卷曲。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 蚀刻 气体 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻位于基材上的含硅层的方法，所述方法包括：将化合物蒸气引入包含位于基材上的含硅层的室中，所述化合物选自如下：C
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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