[发明专利]透明导电性基材和透明导电性基材的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480049430.0 申请日: 2014-08-06
公开(公告)号: CN105556618B 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 河添昭造 申请(专利权)人: 洛克技研工业株式会社
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;B32B5/30;B32B9/00;C23C14/08;G06F3/041;H01B13/00;H01L31/0224;H05K9/00
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 代理人: 龙淳,程采
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种透明导电性基材,其在基材(11)的单面或双面依次叠层有透明导电性薄膜层(12)和透明金属氧化物层(13),通过散布颗粒(13a)来形成透明金属氧化物层(13),ITO等透明导电性薄膜层与金属和金属膏等的电极间的导电性高,而且透明性、折射率匹配性、耐擦伤性、蚀刻性也良好。
搜索关键词: 透明 导电性 基材 制造 方法
【主权项】:
一种透明导电性基材,其特征在于:在基材的单面或双面依次叠层有透明导电性薄膜层和作为电绝缘材料的透明金属氧化物层,所述透明金属氧化物层是通过散布且不连续地设置颗粒而在透明导电性薄膜层上形成的,所述透明金属氧化物层覆盖所述透明导电性薄膜层的覆盖率为60~1%,叠层所述透明金属氧化物层之后,叠层金属电极。
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