[发明专利]利用寄生光电二极管的具有改进的动态范围的成像阵列有效
申请号: | 201480049492.1 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN105745753B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | B·福勒 | 申请(专利权)人: | BAE系统成像解决方案有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘淼 |
地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种像素传感器,具有主光电检测器和寄生光电二极管,以及一种读出该像素传感器的方法。该像素传感器是通过当浮动扩散节点从该主光电二极管隔离出来时,读出该像素传感器中的浮动扩散节点上的第一电位而读出的。然后将该像素传感器曝光在光下,使得该浮动扩散节点和该光电检测器也曝光在该光下。然后当浮动扩散节点从该主光电二极管隔离出来时,读出该浮动扩散节点上的第二电位。在读出该第一和第二电位后,读出该浮动扩散节点上的第三电位。然后使该主光电二极管与该浮动扩散节点连接,读出该浮动扩散节点上的第四电位。由所读出的这些电位决定出第一和第二光强度。 | ||
搜索关键词: | 利用 寄生 光电二极管 具有 改进 动态 范围 成像 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种读出像素传感器(21)的方法,该像素传感器具有主光电二极管(22)和浮动扩散节点,该主光电二极管具有第一光转换效率,该浮动扩散节点包含具有第二光转换效率的寄生光电二极管(42),所述第一光转换效率大于或等于所述第二光转换效率的30倍,所述方法包括:当所述浮动扩散节点(23)从所述光电二极管(22)隔离出来时,读出所述像素传感器中的所述浮动扩散节点(23)上的第一电位,其中,所述浮动扩散节点(23)与具有第一复位电位的复位总线连接,然后在读出所述第一电位之前与所述复位总线断开连接;将所述像素传感器(21)曝光在光下,从而使得所述浮动扩散节点(23)也曝光在所述光下;当所述浮动扩散节点(23)从所述光电二极管(22)隔离出来时,读出所述像素传感器中的所述浮动扩散节点(23)上的第二电位;并且由所述第一和第二电位决定出第一光强度;其特征是,该方法还包括:读出所述浮动扩散节点(23)上的第三电位,其中,所述浮动扩散节点(23)与复位总线连接,然后在读出所述第三电位之前与所述复位总线断开连接;将所述主光电二极管(22)与所述浮动扩散节点(23)连接;读出所述浮动扩散节点(23)上的第四电位;并且由所述第三和第四电位决定出第二光强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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