[发明专利]监测光掩模缺陷率的改变

摘要

本发明揭示检验在规格内的光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的基线事件。于在光刻中使用所述光罩后，检验所述光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的当前事件。产生候选缺陷和其图像的检验报告，使得这些候选缺陷包含所述当前事件的第一子集和其对应的候选缺陷图像，且排除所述当前事件的第二子集和其对应的被排除图像。所述第一所包含事件中的每一者具有无法匹配任何基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值，且所述被排除的第二事件中的每一者具有匹配基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值。

主权项

1.一种检验光刻光罩的方法，所述方法包括：执行已识别为在规格内的光罩的第一单裸片检验以便产生对应于所述光罩的多个异常基线特征的多个基线事件，其中每一基线事件指示对应异常基线特征的位置和尺寸值；于在一或多个光刻工艺中使用所述光罩后，经由光罩检验工具执行所述光罩的第二单裸片检验以便产生对应于所述光罩的多个当前异常特征的多个当前事件，其中每一当前事件指示对应的当前异常特征的位置和尺寸值；以及产生多个候选缺陷和其图像的检验报告，其中所述候选缺陷和其图像包含所述当前事件的第一子集和其对应的多个候选缺陷图像且排除所述当前事件的第二子集和其对应的多个经排除图像，其中包含于所述检验报告中的当前事件的所述第一子集中的每一者具有无法以预定义量匹配任何基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值，且从所述检验报告排除的当前事件的所述第二子集中的每一者具有以所述预定义量匹配任何基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值。