[发明专利]在衬底上形成期望的图案的方法在审
| 申请号： | 201480049625.5 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105518528A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | B·霍尔斯特 | 申请（专利权）人： | 卑尔根技术交易股份公司 |
| 主分类号： | G03F1/20 | 分类号： | G03F1/20;G03F1/78;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人： | 黄泽雄 |
| 地址： | 挪威卑*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 本发明涉及在衬底上形成期望的图案的方法，所述方法包括步骤：a)产生原子束或分子束，尤其是He原子束；b)提供具有期望图案，例如在所述衬底上期望的图案的傅里叶变换的掩模；c)引导所述原子束或分子束通过所述图案化的掩模至衬底，据此通过与穿透掩模的部分所述原子束或分子束相互作用，在所述衬底上形成图案，所述图案基于掩模的图案，其中所述图案化的掩模由包含以下步骤的方法制备：d)提供多孔起始掩模材料，所述材料具有允许所述原子束或分子束穿透的尺寸的开口；e)通过填充所述掩模的部分开口从而对所述原子束或分子束变得不透明来在所述掩模上生成期望的图案。本发明的方法对于制备导电电路结构(微芯片)或微机电系统(MEMS)或微米/纳米射流结构或一般纳米结构的表面(即，疏水或亲水的表面或反射/抗反射表面)是有用的。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 形成 期望 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底上形成期望的图案的方法，包括的步骤为：a)产生原子束或分子束；b)提供具有期望的图案的掩模；c)引导所述原子束或分子束通过所述图案化的掩模至衬底上，据此通过与穿透所述掩模的部分所述原子束或分子束相互作用在所述衬底上形成图案，所形成的图案基于所述掩模的图案，其中，所述图案化的掩模由包含以下步骤的方法制备：d)提供多孔起始掩模材料，所述材料具有允许所述原子束或分子束穿透的尺寸的开口；e)通过填充所述掩模的部分开口从而对所述原子束或分子束变得不透明来在所述掩模上生成期望的图案。
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