[发明专利]可重构多层叠电感器结构及其形成方法、设计结构

摘要

在半导体结构内形成的可重构多层叠电感器可以包括位于半导体结构的第一金属层内的第一电感器结构、位于第一金属层内与第一电感器结构电隔离并且在周向界定第一电感器结构的第一接地屏蔽结构、以及位于半导体结构的第二金属层内的第二电感器结构，由此第二电感器结构被电耦合到第一电感器结构。位于第二金属层内的第二接地屏蔽结构与第二电感器结构电隔离并且在周向界定第二电感器结构，由此第一和第二电感器基于第一接地屏蔽结构和第二接地屏蔽结构被耦合到地而产生第一电感值，并且第一和第二电感器基于第一接地屏蔽结构和第二接地屏蔽结构电浮动而产生第二电感值。 1

主权项

1.一种在半导体结构内形成的可重构多层叠电感器结构，包括：位于半导体结构的第一金属层内的第一电感器结构；位于第一金属层内与第一电感器结构电隔离并且在周向界定第一电感器结构的第一接地屏蔽结构；位于半导体结构的第二金属层内的第二电感器结构，该第二电感器结构被电耦合到第一电感器结构；位于第二金属层内与第二电感器结构电隔离并且在周向界定第二电感器结构的第二接地屏蔽结构；位于半导体结构的第三金属层内的接地平面；及耦合在接地平面与包括第一和第二接地屏蔽结构的两个接地屏蔽结构之间的第一开关，其中在第一开关致动到闭合位置的情况下，第一接地屏蔽结构和第二接地屏蔽结构被耦合到由接地平面提供的接地参考，以产生第一电感值，并且其中在第一开关致动到打开位置的情况下，第一接地屏蔽结构和第二接地屏蔽结构分别与由接地平面提供的接地参考电隔离，以产生第二电感值。