[发明专利]采用高温湿法进行的蓝宝石减薄和平滑化在审
| 申请号： | 201480050344.1 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN106170848A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·W·哈洛伦;卡伦·A·莱因哈特;托马斯·M·武科萨夫 | 申请（专利权）人： | MT系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;钟海胜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于使蓝宝石衬底减薄的方法，所述方法包括：将蓝宝石衬底置于预热槽中，以升高所述蓝宝石衬底的温度；将经预热的蓝宝石衬底置于温度为200～400℃、包含含有H2SO4和H3PO4中的至少一种的溶液的湿法蚀刻槽中；监测时间，以确定何时从所述湿法蚀刻槽中取出所述蓝宝石衬底，以使所述蓝宝石衬底减薄；以及，将所述蓝宝石衬底置于冷却槽中，以降低所述蓝宝石衬底的温度。所述方法提供了高通量，并且是经济有效的过程，从而便于在高容量和低成本的应用中采用蓝宝石。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 高温 湿法 进行 蓝宝石 平滑 | ||
【主权项】：
一种用于使蓝宝石衬底减薄的方法，所述方法包括：将所述蓝宝石衬底置于预热槽中，以升高所述蓝宝石衬底的温度；将所述经预热的蓝宝石衬底置于温度为200～400℃、包含含有H2SO4和H3PO4中的至少一种的溶液的湿法蚀刻槽中；监测时间，以确定何时从所述湿法蚀刻槽中取出所述蓝宝石衬底，以使所述蓝宝石衬底减薄；以及，将所述蓝宝石衬底置于冷却槽中，以降低所述蓝宝石衬底的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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