[发明专利]LaNiO3薄膜形成用组合物以及使用该组合物的LaNiO3薄膜的形成方法在审
| 申请号： | 201480050492.3 | 申请日： | 2014-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN105531798A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 藤井顺;樱井英章;曽山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;C01G53/00;H01B3/12;H01B13/00;H01G4/33;H01L21/822;H01L21/8246;H01L27/04;H01L27/105;H01L41/047;H01L41/29;H01L41/319 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | LaNiO3薄膜形成用组合物包含LaNiO3前驱体、有机溶剂及稳定剂。并且，相对于LaNiO3前驱体、有机溶剂与稳定剂的总计100质量％，LaNiO3前驱体的混合比例换算成氧化物为1～20质量％。而且，有机溶剂的HSP值的分散成分dD、极化成分dP及氢键成分dH分别满足14＜dD＜20、3＜dP＜26及3＜dH＜30的关系。 | ||
| 搜索关键词： | lanio sub 薄膜 形成 组合 以及 使用 方法 | ||
【主权项】：
一种LaNiO3薄膜形成用组合物，其特征在于，所述LaNiO3薄膜形成用组合物包含LaNiO3前驱体、有机溶剂及稳定剂，相对于所述LaNiO3前驱体、所述有机溶剂及所述稳定剂的总计100质量％，所述LaNiO3前驱体的混合比例换算成氧化物为1～20质量％，所述有机溶剂的HSP值的分散成分dD、极化成分dP及氢键成分dH分别满足14＜dD＜20、3＜dP＜26及3＜dH＜30的关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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