[发明专利]静电卡盘有效
| 申请号： | 201480050762.0 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105684139B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·M·怀特;詹姆斯·凯乐 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种用于在高温下植入离子的静电卡盘。此静电卡盘包括绝缘基底，其上配置了导电电极。介电顶层配置于电极上。阻隔层配置于介电顶层上，使其位于介电顶层和工作件之间。此阻隔层用来阻止粒子从介电顶层迁移至夹在卡盘上的工作件。在一些实施例中，阻隔层上施加保护层以避免磨损。通过阻隔层阻止金属粒子从介电顶层迁移到工作件，从而维持工作件的完整性，提高工作件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 阻隔 | ||
【主权项】：
1.一种静电卡盘，其特征在于，包括：绝缘基底；一个或更多个导电电极，配置于所述绝缘基底上；介电顶层，具有上表面和相对的底表面，使所述电极配置于所述绝缘基底和所述介电顶层之间；以及配置于所述上表面上的阻隔层，其中所述阻隔层阻止粒子从所述介电顶层中迁移至夹在所述静电卡盘上的工作件，阻隔层包括氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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