[发明专利]用于物理气相沉积腔室的双极准直器有效
| 申请号： | 201480050843.0 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105849863B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李靖珠;刘国俊;王伟;普拉沙斯·科斯努 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 物理 沉积 双极准直器 | ||
【主权项】：
1.一种用于物理气相沉积的设备，所述设备包括：/n腔室主体和设置在所述腔室主体上的腔室盖，从而界定处理区于内；/n准直器，所述准直器设置在所述处理区中；及/n电源，所述电源耦接至所述准直器以用于基板上的沉积，其中所述电源是双极脉冲式DC电源，并且所述电源经构造以在沉积期间以交替脉冲输送正电压和负电压至所述准直器，其中所述正电压的脉冲不同于所述负电压的脉冲。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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