[发明专利]用于具有共源极线的存储单元的系统、方法和装置有效
| 申请号： | 201480051457.3 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105556609B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 禹小军;范卡特拉曼·普拉哈卡;伊葛·G·葛兹尼索夫;龙·T·辛赫;波·金 | 申请（专利权）人： | 经度快闪存储解决方案有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于实现具有共源极线的存储单元的系统、方法和装置被公开。方法包括在第一晶体管接收第一电压。第一晶体管可以被耦合到第二晶体管和被包括在第一存储单元中。方法包括在第三晶体管接收第二电压。第三晶体管可以被耦合到第四晶体管和被包括在第二存储单元中。第一和第二存储单元可以被耦合到共源极线。方法包括在第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极接收可以使它们操作于截止模式的第三电压。方法可以包括在第一晶体管的栅极接收第四电压。第四电压通过Fowler‑Nordheim隧穿可以引起在包括在第一晶体管中的电荷存储层中的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 共源极线 存储 单元 系统 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在第一晶体管接收第一电压，所述第一晶体管被耦合到第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管被包括在第一存储单元中；在第三晶体管接收第二电压，所述第三晶体管被耦合到第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管被包括在第二存储单元中，所述第一存储单元和所述第二存储单元被耦合到共源极线；在所述第二晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极接收第三电压；以及在所述第一晶体管的栅极接收第四电压，所述第四电压通过Fowler‑Nordheim隧穿引起被包括在所述第一晶体管中的电荷存储层的一个或多个电性质的变化。
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