[发明专利]光接收电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201480051685.0 | 申请日： | 2014-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN105659394B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 铃木康之;冈本大典 | 申请（专利权）人： | 技术研究组合光电子融合基盘技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H03F3/08;H04B10/60 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人： | 刘军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种抑制因PD和TIA之间的布线引起的特性劣化的光接收电路及其制造方法。光接收电路(300)包括光电二极管(302)、以及向光电二极管(302)供应电源的跨阻放大器(308)。光电二极管(302)的阳极和跨阻放大器(308)之间的布线的特性阻抗比光电二极管(302)的阴极和跨阻放大器(308)之间的布线的特性阻抗高。 | ||
| 搜索关键词： | 接收 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光接收电路，其特征在于，包括：光电二极管；以及跨阻放大器，所述跨阻放大器向所述光电二极管供应电源，所述光电二极管的阳极和所述跨阻放大器之间的布线的特性阻抗比所述光电二极管的阴极和所述跨阻放大器之间的布线的特性阻抗高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于技术研究组合光电子融合基盘技术研究所，未经技术研究组合光电子融合基盘技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480051685.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
