[发明专利]化学试剂的远程传送在审
申请号: | 201480052121.9 | 申请日: | 2014-07-21 |
公开(公告)号: | CN105556641A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | J·D·斯威尼;E·E·琼斯;O·比尔;唐瀛;J·R·德普雷斯;S·E·毕夏普 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 潘飞;郑建晖 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了用于流体的远程传送的流体存储和分配系统及方法,以用于将流体从处于较低电压的源容器提供至处于较高电压的一个或多个流体利用工具,使得流体跨越相关联的电压隙而无电弧、放电、过早离子化或其他异常行为,并且使得当由远程源容器供应多个流体利用工具时,在多个容器中的其他容器的独立操作期间,在合适的压力水平下将流体有效地供应至多个工具中的每个。 | ||
搜索关键词: | 化学试剂 远程 传送 | ||
【主权项】:
一种流体供应系统,用于将流体从处于相对较低电压的流体供应源容器传送到处于相对较高电压的至少一个流体利用工具,其中流体经过一个相应的电压差,所述流体供应系统包括所述流体供应源容器和至少一个流体管理装置,所述流体管理装置选自由以下组成的组:(a)一个流体传送流动线路,包括:一个流体传送线,该流体传送线适合于联接至流体供应容器,以通过电压差使流体从所述流体供应容器流动至所述流体利用工具;一个电介质交界面,该电介质交界面适合于联接至所述流体传送线,以将所述流体传送线的较低电压区段和较高电压区段彼此分隔开;一个第一压力调节器和一个流量控制部件或流量控制组件,处于所述流体传送线的较低电压区段中;一个第二压力调节器,处于所述流体传送线的较高电压区段中,其中所述第一压力调节器和所述第二压力调节器适合于调节从所述流体供应容器通过所述流体传送线流动至所述流体利用工具的流体的压力,以减小流到所述流体利用工具的流体的压力变化;(b)一个电流监控器,适合于当被联接至流体传送源容器时,在所述流体传送流动线路中的电干扰引起电弧、放电或流体的过早离子化的事件中,监控所述流体供应源容器中的电流且输出与所述电流相关的一个信号;以及一个互锁系统,适合于在所述电干扰的事件中接收来自所述电流监控器的信号,并且作为响应来致动一个补救动作以减轻电干扰或改善电干扰的影响;(c)一个包括非线性流体传送线的流体传送流动线路,该非线性流体传送线适合于联接至所述流体供应容器,以为通过电压差从所述流体供应容器至流体利用工具的流体的流动提供一个非线性延伸长度的流动路径,从而抑制电弧、放电或流体的过早离子化;(d)一个流体传送流动线路,包括一个流体传送线,该流体传送线适合于联接至所述流体供应容器,以通过电压差使流体从所述流体供应容器流动至所述流体利用工具,该流体传送线与一个可逆吸附剂介质流体连通,所述可逆吸附剂介质对所述流体具有吸附亲和性且被布置以吸附性地/解吸附性地调整流体流动通过所述流体传送线,以防止流体供应中断;(e)一个控制系统,适合于监控和控制从所述流体供应容器流动至所述流体利用工具的流体的供应压力和/或需求流动速率,以减小流动至所述流体利用工具的流体的压力变化;(f)一个热量控制系统,适合于以足够的速率来加热或冷却从所述流体供应容器流动至所述流体利用工具的流体,以控制流体压力,从而减小流动至所述流体利用工具的流体的压力变化;(g)一个流体传送流动线路,包括:一个流体传送线,该流体传送线适合于联接至所述流体供应容器,以通过电压差使流体从所述流体供应容器流动至所述流体利用工具;以及一个调压室,该调压室联接至所述流体传送线,且适合于接收来自所述流体传送线的流体,从而提供一个气体储存器来防止气体供应中断;以及(h)一个板载容器,与流体利用工具相关联,且在所述流体利用工具的操作期间处于其相对较高电压,该板载容器适合于在所述操作期间或在所述操作的连续周期之间被所述流体供应源容器填充,并且如果该板载容器适合于在所述操作期间被填充,则其包括至少一个流体管理装置(a)‑(g)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造