[发明专利]用于光电子器件的III族氮化物异质结构有效
| 申请号： | 201480052198.6 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105580146B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | R·杰因;M·S·沙特阿洛夫;杨锦伟;A·杜博尔因斯基;M·舒尔;R·格斯卡 | 申请（专利权）人： | 传感器电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国南*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用于光电子器件中的异质结构。异质结构的一个或多个参数可以被配置用于提高相应的光电子器件的可靠性。可以在配置异质结构的n型和/或p型侧的各种参数时考虑用来产生器件的有源结构的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光电子 器件 iii 氮化物 结构 | ||
【主权项】：
1.一种异质结构，包含：基板；位于所述基板上的AlN缓冲层；位于所述缓冲层上的AlxGa1‑xN/Alx’Ga1‑x’N第一超晶格结构，其中0.6＜x≤1，0.1＜x’＜0.9，且x＞x’，并且其中在所述第一超晶格结构内的每个层均具有小于或等于100纳米的厚度；位于所述第一超晶格结构上的AlyGa1‑yN/Aly’Ga1‑y’N第二超晶格结构，其中y’＜x’，0.6＜y≤1，0.1＜y’＜0.8，且y＞y’，并且其中在所述第二超晶格结构内的每个层均具有小于100纳米的厚度；位于所述第二超晶格结构上的AlzGa1‑zN n型层，其中0.1＜z＜0.75且z＜y’；以及位于所述n型层上的AlbGa1‑bN/AlqGa1‑qN有源结构，其中b‑q＞0.05。
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