[发明专利]CMUT装置制造方法、CMUT装置和设备有效
| 申请号： | 201480052627.X | 申请日： | 2014-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN105592940B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | P·迪克森;M·米尔德;A·莱韦斯泰因 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | B06B1/02 | 分类号： | B06B1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;刘炳胜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种制造电容式微加工超声换能器(CMUT)装置的方法，所述装置包括在基底(110)上的第一电极(112)以及被嵌入在电绝缘膜中的第二电极(122)，所述第一电极和所述膜由通过移除在所述第一电极与所述膜之间的牺牲材料(116)形成的腔(130)而分离开，所述方法包括形成所述第二电极上的膜部分(22)以及从所述膜部分沿所述牺牲材料侧面朝向所述基底沿延伸的另一膜部分(24)，其中，在形成所述腔之前，所述膜部分和所述另一膜部分的各自厚度超过牺牲材料的厚度。也公开了根据该方法制造的CMUT装置以及包括所述CMUT装置的设备。 | ||
| 搜索关键词： | cmut 装置 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造电容式微加工超声换能器装置的方法，所述电容式微加工超声换能器装置包括在基底(110)上的第一电极(112)以及被嵌入在电绝缘膜中的第二电极(122)，所述第一电极和所述膜由通过移除所述第一电极与所述膜之间的牺牲材料(116、116’)形成的腔(130)而分离开，所述方法包括形成在所述第二电极上的膜部分(22)以及从所述膜部分沿所述牺牲材料侧面朝向所述基底延伸的另一膜部分(24)，其中，在形成所述腔之前，所述膜部分和所述另一膜部分的各自的厚度超过所述牺牲材料的厚度至少五倍。
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