[发明专利]用于确定IGBT器件的实际结温的方法和装置有效
| 申请号： | 201480052781.7 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105556266B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | V.森达拉穆菲;E.比安达;R.布洛奇;I.尼斯托;G.克纳普 | 申请（专利权）人： | ABB技术有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 吴晟,王传道 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于确定IGBT器件（2）的实际结温（Tj）和/或实际集电极电流（IC）的方法，其中所述IGBT器件（2）具有主发射极（EM）和辅发射极（EA），其包括以下步骤‑测量在IGBT器件（2）的开关操作期间作为主发射极（EM）处的主发射极电压（VE）与辅发射极（EA）处的辅发射极电压（VE’）之间的差异的发射极电压降（VEE’）的特性；以及‑基于发射极电压降（VEE’）的特性确定结温和/或集电极电流（IC）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 igbt 器件 实际 方法 装置 | ||
【主权项】：
确定IGBT器件（2）的实际结温（Tj）的方法，其中所述IGBT器件（2）具有主发射极（EM）和辅发射极（EA），所述方法包括以下步骤：‑测量在所述IGBT器件（2）的开关操作期间作为所述主发射极（EM）处的主发射极电压（VE）与所述辅发射极（EA）处的辅发射极电压（VE’）之间的差异的发射极电压降（VEE’）的特性；以及‑基于所述发射极电压降（VEE’）的特性确定所述结温，‑其中所述结温（Tj）通过以下步骤确定：‑对所述IGBT器件（2）的提供的集电极发射极电压（VDC）和确定的集电极电流（IC）分配所述开关操作期间所述发射极电压降（VEE’）的参考峰值电压，其中所述参考峰值电压对应于在开关操作期间在参考温度所述发射极电压降（VEE’）的峰值电压；‑确定所述开关操作期间所述发射极电压降（VEE’）的峰值电压；以及‑根据所述确定的峰值电压和所述参考峰值电压确定所述实际结温（Tj）。
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