[发明专利]场效应晶体管和方法有效
| 申请号： | 201480052849.1 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN105580140B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 楚荣明;玛丽·Y·陈;李子健“雷伊”;卡里姆·S·布特罗;陈旭;大卫·F·布朗;亚当·J·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王刚;龚敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管(FET)包括多个半导体层，接触半导体层中的一层的源极和漏极，在源极和漏极之间的顶部半导体表面的一部分上的第一介电体层，延伸通过第一介电体层并且具有位于半导体层中的一层的顶面上或半导体层中的一层内的底部的第一沟槽，内衬第一沟槽并且覆盖第一介电体层的一部分的第二介电体层，在半导体层、第一介电体层和第二介电体层上方的第三介电体层，延伸通过第三介电体层并且具有位于第二介电体层上的第一沟槽中的底部并且在第二介电体的一部分上方延伸的第二沟槽以及填充第二沟槽的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(FET)，包括：多个半导体层；接触所述半导体层中的至少一层的源极；接触所述半导体层中的至少一层的漏极；覆盖所述源极和所述漏极之间的所述半导体层的顶面的一部分的第一介电体层；延伸通过所述第一介电体层并且具有位于所述半导体层的所述顶面上或位于所述半导体层中的一层内的底部的第一沟槽；内衬所述第一沟槽并且覆盖所述第一介电体层的一部分的第二介电体层；在所述半导体层、所述第一介电体层和所述第二介电体层上方的第三介电体层；第二沟槽，所述第二沟槽延伸通过所述第三介电体层并且具有位于所述第二介电体层的表面上的所述第一沟槽中或位于所述第二介电体层内的底部，并且所述第二沟槽在所述第一介电体层上的所述第二介电体层的一部分上方延伸；和填充所述第二沟槽的栅极；其中所述第二介电体层包含在所述第一沟槽的底部的单晶AlN层；并且所述第二介电体层包含在所述单晶AlN层上的多晶AlN层。
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