[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
申请号: | 201480052961.5 | 申请日: | 2014-09-17 |
公开(公告)号: | CN105593976B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 矢野大作;山下幸福;村山雅美;山中弘次 | 申请(专利权)人: | 奥加诺株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供能够进一步抑制已暴露在基板表面上的金属布线的腐蚀、氧化的基板处理方法和基板处理装置。本发明涉及一种具有处理室(2)的基板处理装置(1),该处理室(2)配置有基板(W),向其中供给用于处理基板(W)的基板处理液。该装置包括非活性气体填充机构(18、39、41),其用于向配置有基板(W)的处理室(2)中填充非活性气体;以及催化剂单元(21),其在处理室(2)的附近或者内部,填充有铂族系金属催化剂,向超纯水中添加氢而成的氢溶解水通过该铂族系金属催化剂,将该氢溶解水通过铂族系金属催化剂而得到的氢溶解处理液作为所述基板处理液向处理室(2)内供给。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,其用于在基板处理装置的处理室内配置基板,处理该基板,其特征在于,在该基板处理方法中,在所述处理室的附近或者所述处理室的内部设置铂族系金属催化剂,向配置有所述基板的所述处理室中填充非活性气体,将氢溶解处理液供给到填充有所述非活性气体的所述处理室内,利用该氢溶解处理液处理所述基板,所述氢溶解处理液是使向被处理液中添加氢而成的氢溶解液通过所述铂族系金属催化剂而得到的,以使所述处理室内的氧气浓度为2%以下的方式向所述处理室内填充所述非活性气体,以使所述氢溶解液的溶解氢浓度为8μg/L以上的方式向所述被处理液中添加所述氢,使所述氢溶解液通过所述铂族系金属催化剂,使所述氢溶解处理液的溶解氧浓度为2μg/L以下,使过氧化氢浓度为2μg/L以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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