[发明专利]磁耦合件在审

专利信息
申请号: 201480053165.3 申请日: 2014-07-25
公开(公告)号: CN105917559A 公开(公告)日: 2016-08-31
发明(设计)人: A.F.阿特金斯;R.戈登;P.斯图伯菲尔德;P.雷维雷诺 申请(专利权)人: 里卡多英国有限公司
主分类号: H02K51/00 分类号: H02K51/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 吴超;肖日松
地址: 英国萨*** 国省代码: 英国;GB
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摘要: 一种磁耦合件,其包括具有第一阵列磁场生成元件的第一构件,第一构件被布置成产生第一移动磁场;相对于第一构件固定的电导体的阵列;以及具有第二阵列磁场生成元件的第二构件,第二构件被布置成产生第二移动磁场,其中,第一构件和第二构件针对其之间的相对运动被布置,其中,导体的阵列被布置成与第二移动磁场感应地耦合以产生扭矩,从而将第一移动磁场和第二移动磁场带入同步相对运动。
搜索关键词: 耦合
【主权项】:
 一种磁耦合件,其包括:具有第一阵列磁场生成元件的第一构件,所述第一构件被布置成产生第一移动磁场;相对于所述第一构件固定的电导体的阵列;以及具有第二阵列磁场生成元件的第二构件,所述第二构件被布置成产生第二移动磁场,其中,所述第一构件和所述第二构件针对其之间的相对运动被布置,其中:所述导体的阵列被布置成与所述第二移动磁场感应地耦合以产生扭矩,从而将所述第一移动磁场和所述第二移动磁场带入同步相对运动。
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