[发明专利]通过催化脱氢偶联以无卤素方式合成氨基硅烷的方法

摘要

本发明涉及Si‑X和Ge‑X化合物(X＝N、P、As和Sb)及其制备方法，这通过在相应的未取代硅烷和胺(包括氨)或膦在金属催化剂催化下的脱氢偶联反应进行。这种新方法是基于Si‑H和X‑H结构部分的催化脱氢偶联反应以形成含Si‑X的化合物(X＝N、P、As和Sb)和氢气。此方法可以用过渡金属多相催化剂催化，例如碳负载的Ru(0)、负载于MgO上的Pd(0)，以及可以用作为均相催化剂的过渡金属有机金属配合物催化。通过脱氢偶联制备的‑Si‑X产物是本身不含卤素的。所述化合物可以用于通过含Si膜的化学气相沉积或原子层沉积方法沉积薄膜。

主权项

1.一种制备具有式R¹R²NSi₂H₅或R¹R²NSi₃H₇的前体化合物的方法，其中R¹和R²独立地选自H，直链或支化的C₁‑C₆烷基，直链或支化的C₁‑C₈链烯基，直链或支化的C₁‑C₈炔基，C₆‑C₁₀芳基，直链或支化的C₁‑C₆烷基醚，甲硅烷基，三甲基甲硅烷基，或者被直链或支化C₁‑C₆烷基取代的甲硅烷基，此方法包括：a)使得反应物R¹R²NH和Si₂H₆或Si₃H₈在过渡金属催化剂的存在下接触以形成反应混合物；b)任选地将溶剂加入反应混合物中；c)使得反应混合物保持在0‑300℃的温度；d)进行反应以形成R¹R²NSi₂H₅或R¹R²NSi₃H₇前体化合物；e)从反应混合物分离R¹R²NSi₂H₅或R¹R²NSi₃H₇前体化合物；其中反应混合物的温度可以在合成期间变化并且保持以使得反应混合物的温度不会低于0℃且不会超过300℃，其中当前体化合物是R¹R²NSi₃H₇时，R¹是选自乙基、异丙基和叔丁基；R²是选自H、甲基和异丙基；当R¹是乙基时，R²不是H。