[发明专利]铜镓溅射靶材在审
| 申请号： | 201480053446.9 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105579599A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 克里斯汀·林克;托马斯·谢勒 | 申请（专利权）人： | 攀时奥地利公司 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C23C14/34;B22F3/105 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;张杰 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及含有Ga和Cu的溅射靶材，其具有30至68At％的Ga含量，其中，该溅射靶材作为含有Ga和Cu的金属间相仅含有CuGa2或者CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比。在有利的方式中，该溅射靶材通过火花等离子体烧结或者冷气喷涂烧结制成。与Cu9Ga4相比，CuGa2非常软，这有利于具有均匀溅射特性的无缺陷的溅射靶材的制造过程。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
【主权项】：
一种具有30至68At％的Ga含量的溅射靶材，所述溅射靶材包括至少一种含有Ga和Cu的金属间相，其特征在于，所述溅射靶材作为含有Ga和Cu的金属间相仅含有CuGa2或者CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比。
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