[发明专利]纳米结构的硅基太阳能电池和生产纳米结构的硅基太阳能电池的方法在审

专利信息
申请号: 201480053529.8 申请日: 2014-09-26
公开(公告)号: CN105793999A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: R·S·戴维森;O·汉森;A·博依森;M·S·施密特 申请(专利权)人: 丹麦科技大学
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 北京度衡知识产权代理有限公司 11601 代理人: 杨黎峰;钟锦舜
地址: 丹麦*** 国省代码: 丹麦;DK
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摘要: 发明涉及用于硅基太阳能电池的等离子体织构化方法及其生产的纳米结构的硅基太阳能电池。所述硅基太阳能电池包括硅基板,在其至少部分表面中具有锥形形状的纳米结构,所述锥形形状的纳米结构具有在200和450nm之间的平均高度和100和200nm之间的节距,从而实现低反射率并最小化表面电荷复合。
搜索关键词: 纳米 结构 太阳能电池 生产 方法
【主权项】:
生产包括硅基板的硅基太阳能电池的方法,所述硅基板具有表面,其中至少部分所述表面包括锥形形状的纳米结构,所述锥形形状的纳米结构具有在200和450nm之间的平均高度和100和200nm之间的节距,所述方法包括以下步骤:发射极掺杂,金属接触点沉积和在所述硅基太阳能电池上借助于无掩模的反应离子蚀刻(RIE)生产具有在200和450nm之间的平均高度和100和200nm之间的节距的锥形形状的纳米结构。
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