[发明专利]纳米结构的硅基太阳能电池和生产纳米结构的硅基太阳能电池的方法在审
申请号: | 201480053529.8 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN105793999A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | R·S·戴维森;O·汉森;A·博依森;M·S·施密特 | 申请(专利权)人: | 丹麦科技大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京度衡知识产权代理有限公司 11601 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 丹麦*** | 国省代码: | 丹麦;DK |
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摘要: | 本发明涉及用于硅基太阳能电池的等离子体织构化方法及其生产的纳米结构的硅基太阳能电池。所述硅基太阳能电池包括硅基板,在其至少部分表面中具有锥形形状的纳米结构,所述锥形形状的纳米结构具有在200和450nm之间的平均高度和100和200nm之间的节距,从而实现低反射率并最小化表面电荷复合。 | ||
搜索关键词: | 纳米 结构 太阳能电池 生产 方法 | ||
【主权项】:
生产包括硅基板的硅基太阳能电池的方法,所述硅基板具有表面,其中至少部分所述表面包括锥形形状的纳米结构,所述锥形形状的纳米结构具有在200和450nm之间的平均高度和100和200nm之间的节距,所述方法包括以下步骤:发射极掺杂,金属接触点沉积和在所述硅基太阳能电池上借助于无掩模的反应离子蚀刻(RIE)生产具有在200和450nm之间的平均高度和100和200nm之间的节距的锥形形状的纳米结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的