[发明专利]具有高迁移率沟道的半导体器件在审
| 申请号： | 201480053562.0 | 申请日： | 2014-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105593985A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | B·杨;P·齐达姆巴兰姆;J·J·朱;J·舒;D·杨;R·M·托迪;G·纳拉帕蒂;C·H·甘;M·蔡;S·森古普塔 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一特定实施例中，一种半导体器件包括源极区和漏极区之间的高迁移率沟道。高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度。半导体器件还包括从源极区或漏极区朝高迁移率沟道延伸的掺杂区。基板的一部分位于掺杂区和高迁移率沟道之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 迁移率 沟道 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：源极区和漏极区之间的高迁移率沟道，其中所述高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度；以及从所述源极区或所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸的掺杂区，其中基板的一部分位于所述掺杂区和所述高迁移率沟道之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
