[发明专利]β-Ga2

摘要

提供能够高效生长出高质量且大口径的β‑Ga2O3系单晶膜(β‑Ga2O3‑based single crystal film)的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法和具有通过该生长方法生长出的β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体。一实施方式提供一种β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，其是利用HVPE法的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，包含将Ga2O3系基板10暴露于氯化镓系气体和含氧气体，在Ga2O3系基板10的主面11上使β‑Ga2O3系单晶膜12以900℃以上的生长温度生长的工序。

主权项

一种β‑Ga₂O₃系单晶膜的生长方法，是利用HVPE法的β‑Ga₂O₃系单晶膜的生长方法，包含将Ga₂O₃系基板暴露于氯化镓系气体和含氧气体，在上述Ga₂O₃系基板的主面上使β‑Ga₂O₃系单晶膜以900℃以上的生长温度生长的工序。