[发明专利]测量晶片的损伤的深度的方法

摘要

实施例的方法包括下列步骤使用X射线衍射设备，获取相对于获取的晶片的第一摇摆曲线；在第一摇摆曲线中设置具有比基准水平更高强度的X射线入射角范围，计算设置的X射线入射角的面间距，使用计算出的面间距，计算晶片的应变值，以及，根据计算出的应变值，计算采样的应变值；根据对应于采样的应变值的X射线衍射光束的强度，根据晶片的损伤程度，建模厚度；根据设置的X射线入射角范围、计算出的面间距、采样的应变值和建模的厚度，获取第二摇摆曲线；通过改变设置的X射线入射角范围、面间距、采样的应变值和建模的厚度中的至少一项，将第二摇摆曲线与第一摇摆曲线匹配；以及，根据匹配结果，计算晶片的损伤的深度。

主权项

一种测量对晶片的损伤的深度的方法，包括：使用X射线衍射设备，获取准备的晶片的第一摇摆曲线；在所述第一摇摆曲线中设置具有比基准水平更高强度的X射线入射角范围，计算所设置的X射线入射角的面间距，使用所计算出的面间距，计算所述晶片的应变值，以及基于所计算出的应变值，提取采样的应变值；基于对应于所采样的应变值中的每一个的X射线衍射光束的强度，根据对所述晶片的损伤程度，建模厚度；基于所设置的X射线入射角范围、所计算出的面间距、所采样的应变值以及所建模的厚度，获取第二摇摆曲线；通过改变所述设置的X射线入射角范围、所述面间距、所述采样的应变值以及所述建模的厚度中的至少一项，将所述第二摇摆曲线与所述第一摇摆曲线匹配；以及基于匹配的结果，计算对所述晶片的损伤的深度。