[发明专利]用于确定聚焦的方法及设备

摘要

本发明揭示用于确定光刻系统的最优聚焦的设备及方法。从位于半导体晶片上的多个场中的特定目标获取多个光学信号，且所述场是使用包含不同聚焦值的不同工艺参数来形成。从所述光学信号提取与聚焦的变化相关的特征。将对称曲线拟合到依据聚焦变化的所述光学信号的所述所提取特征。确定所述对称曲线中的极值点且将其报告为用于所述光刻系统中的最优聚焦。

主权项

1.一种确定光刻系统的最优聚焦的方法，所述方法包括：采用检验或度量工具从位于半导体晶片上的多个场的每一者中的特定目标获取多个光学信号，其中所述场的特定目标是使用包含不同聚焦值的不同工艺参数从相同设计图案来形成，其中所述检验或度量系统包括：照明器，其用于产生照明；照明光学器件，其用于将所述照明导引朝向位于所述多个场的每一者中的特定目标；集光光学器件，其用于将响应于所述照明来自位于所述多个场的每一者中的所述特定目标的多个光学信号导引到检测器系统；及所述检测器系统，其用于获取响应于所述照明而来自所述多个场的每一者中的所述特定目标的所述多个光学信号；针对每一个场，将所述光学信号的第一子集组合成组合信号，与所述光学信号的其它子集相比，所述光学信号的第一子集对聚焦的变化最敏感；将曲线拟合到依据聚焦变化的所述多个场的组合信号；及确定所述曲线中的极值点且将其报告为用于所述光刻系统中的最优聚焦。