[发明专利]结合负热膨胀材料的导电互连结构及相关系统、装置及方法有效
| 申请号： | 201480054281.7 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105612610B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李红旗;阿努拉格·金达;吕瑾;夏安·拉玛林根 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示具有结合负热膨胀NTE材料的互连件的半导体装置。在一个实施例中，半导体装置包含衬底，所述衬底具有至少部分延伸穿过所述衬底的开口。具有正热膨胀系数CTE的导电材料部分充填所述开口。具有负CTE的负热膨胀NTE材料也部分充填所述开口。在一个实施例中，所述导电材料包含铜，且所述NTE材料包含钨酸锆。 | ||
| 搜索关键词： | 结合 热膨胀 材料 导电 互连 结构 相关 系统 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：衬底，其具有至少部分延伸穿过所述衬底的开口；导电材料，其部分充填所述开口；及负热膨胀NTE材料，其也部分充填所述开口；其中所述导电材料安置于所述衬底与所述负热膨胀NTE材料之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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