[发明专利]钽溅射靶有效
| 申请号： | 201480054575.X | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105593399B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 小田国博 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种钽溅射靶，其特征在于，含有合计1质量ppm以上且低于10质量ppm的铌和钨作为必要成分，并且除铌、钨和气体成分以外的纯度为99.9999％以上。本发明得到一种高纯度钽溅射靶，其具有均匀且调节为最佳范围的微细的组织，可以稳定地实现高的成膜速度，并且可以形成均匀的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 钽溅射靶 微细 高纯度 成膜 | ||
【主权项】：
1.一种钽溅射靶，其为含有合计1质量ppm以上且低于10质量ppm的铌和钨作为必要成分，并且除铌、钨和气体成分以外的纯度为99.9999％以上的圆盘状钽溅射靶，其特征在于，平均晶粒尺寸为50μm以上且150μm以下，晶粒尺寸的偏差为20％以下。
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