[发明专利]在单芯片上的惯性和压力传感器有效
| 申请号： | 201480054655.5 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105874312B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | A·费;G·欧布莱恩 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12;B81B7/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 邓雪萌;李婷 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在一个实施例中，用于电容式压力传感器的工艺流程与用于惯性传感器的工艺流程相结合。以此方式，在压力传感器的膜层内实现惯性传感器。器件层同时用作惯性传感器中进行平面外传感的z轴电极和/或惯性传感器的布线层。压力传感器工艺流程的膜层（或覆盖层）用来限定惯性传感器传感结构。在膜层中的绝缘氮化物塞用于使多轴惯性传感器的各种传感结构解除电气联接，从而允许完全的差动传感。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 惯性 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS传感器器件，其包括：处理层；器件层，其定位在所述处理层之上；第一固定电极，其限定在所述器件层中；第二固定电极，其限定在所述器件层中并且与所述第一固定电极电气地隔离开；覆盖层，其定位在所述器件层之上；第一可移动电极，其限定在所述覆盖层中且在所述第一固定电极正上方的位置处；第二可移动电极，其限定在所述覆盖层中，其至少部分地在所述第二固定电极的正上方并且与所述第一可移动电极电气地隔离开；第一空间，其正好定位在所述第一固定电极与所述第一可移动电极之间，所述第一空间被密封以与所述覆盖层之上的大气隔离；以及第二空间，其正好定位在所述第二固定电极与所述第二可移动电极之间，所述第二空间与大气相通。
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