[发明专利]含有多酸的含金属抗蚀剂下层膜形成用组合物

摘要

一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有，(A)成分：同多酸或杂多酸或它们的盐或它们的组合、和(B)成分：聚硅氧烷、聚氧化铪或氧化锆或它们的组合，基于(A)成分和(B)成分的合计量，以0.1～85质量％的比例含有(A)成分，该聚硅氧烷为R¹_aR²_bSi(R³)_4‑(a+b)所示的水解性硅烷的水解缩合物，在全部水解性硅烷中含有60～85摩尔％的(a+b)为0的水解性硅烷，该聚氧化铪为Hf(R⁴)₄所示的水解性铪的水解缩合物，该氧化锆为Zr(R⁵)₄、或ZrO(R⁶)₂所示的水解性锆或它们的组合的水解缩合物。

主权项

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有：A成分：同多酸或杂多酸或它们的盐或它们的组合、和B成分：聚硅氧烷、聚氧化铪或锆氧化物或它们的组合，基于该A成分和该B成分的合计量，以0.1～85质量％的比例含有该A成分，该聚硅氧烷为下述式(1)所示的水解性硅烷的水解缩合物，R¹_aR²_bSi(R³)_4‑(a+b)     式(1)式(1)中，R¹为烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基团，且R¹通过Si‑C键与硅原子键合，R²为含氮原子的环或包含含氮原子的环的有机基团、缩合芳香族环或包含缩合芳香族环的有机基团、被保护的酚性羟基或包含被保护的酚性羟基的有机基团、或者联芳基或包含联芳基的有机基团，且R²通过Si‑C键与硅原子键合，R³为烷氧基、酰基氧基或卤素基，a为0～3的整数，b为0～3的整数，(a+b)为0～3的整数，在全部水解性硅烷中含有60～85摩尔％的式(1)中(a+b)为0的水解性硅烷，该聚氧化铪为式(2)所示的水解性铪的水解缩合物，Hf(R⁴)₄   式(2)R⁴为烷氧基、酰基氧基、或卤素基，该锆氧化物为式(3)或式(4)所示的水解性锆的水解缩合物或它们的组合的水解缩合物，Zr(R⁵)₄      式(3)ZrO(R⁶)₂      式(4)R⁵、R⁶分别为烷氧基、酰基氧基、卤素基或硝酸根离子。