[发明专利]超高性能内插器有效
申请号: | 201480055465.5 | 申请日: | 2014-08-06 |
公开(公告)号: | CN105684145B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | C·E·尤佐;孙卓文 | 申请(专利权)人: | 伊文萨思公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/498;H01L23/14;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张昊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种互连部件,所述互连部件包括:半导体材料层,所述半导体材料层具有第一表面和第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对并且在第一方向上间隔开。至少两个金属化通孔延伸穿过所述半导体材料层。所述至少两个金属化通孔中的第一对在正交于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开。所述半导体层中的第一绝缘通孔从所述第一表面朝所述第二表面延伸。所述绝缘通孔被定位成使得所述绝缘通孔的几何中心处于两个平面之间,所述两个平面正交于所述第二方向,并且通过所述至少两个金属化通孔中的所述第一对中的每一个。电介质材料至少部分地填充所述第一绝缘通孔,或者至少部分地封闭所述绝缘通孔中的空隙。 | ||
搜索关键词: | 超高 性能 内插 | ||
【主权项】:
1.一种用于微电子组件中的互连部件,所述互连部件包括:半导体材料层,所述半导体材料层具有第一表面和第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对并且在第一方向上与所述第一表面间隔开所述半导体材料层的厚度;至少两个金属化通孔,每个所述金属化通孔延伸穿过所述半导体材料层,并且具有位于所述第一表面的第一端部和位于所述第二表面的第二端部,所述至少两个金属化通孔中的第一对在正交于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开;以及所述半导体层中的第一绝缘通孔,所述第一绝缘通孔从所述第一表面朝所述第二表面延伸,所述第一绝缘通孔被定位成使得所述第一绝缘通孔的几何中心处于两个平面之间,所述两个平面正交于所述第二方向,并且通过所述至少两个金属化通孔中的所述第一对中的每一个,并且所述第一绝缘通孔的几何中心位于所述第一绝缘通孔内部;以及电介质材料,所述电介质材料至少部分地填充所述第一绝缘通孔,或者至少部分地封闭所述第一绝缘通孔中的空隙,其中所述第一绝缘通孔在垂直于所述第二方向的第三方向上具有宽度,所述宽度等于或者大于所述至少两个金属化通孔中的所述第一对之间的距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊文萨思公司,未经伊文萨思公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480055465.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。