[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置(1001)具备：第1晶体管(10A)，其具有第1沟道长度L1和第1沟道宽度W1；以及第2晶体管(10B)，其具有第2沟道长度L2和第2沟道宽度W2，第1晶体管(10A)和第2晶体管(10B)具有由共同的氧化物半导体膜形成的活性层，第1晶体管(10A)是能从漏极电流Isd依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变为漏极电流Isd不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的存储晶体管，第1沟道长度L1小于第2沟道长度L2。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；第1晶体管，其支撑于上述基板，具有第1沟道长度L1和第1沟道宽度W1；以及第2晶体管，其支撑于上述基板，具有第2沟道长度L2和第2沟道宽度W2，上述第1晶体管和上述第2晶体管具有由共同的氧化物半导体膜形成的活性层，上述第1晶体管是能从漏极电流Isd依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变为漏极电流Isd不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的存储晶体管，上述第2晶体管是电路用晶体管，上述第1沟道长度L1小于上述第2沟道长度L2，上述第1晶体管的沟道长度与沟道宽度之比L1/W1小于上述第2晶体管的沟道长度与沟道宽度之比L2/W2。