[发明专利]未加工的直接带隙芯片在硅光子器件中的集成有效
| 申请号： | 201480055779.5 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105612612B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·B·克拉苏利克;约翰·达拉萨斯;阿米特·米斯拉伊;蒂莫西·克雷亚佐;埃尔顿·马切纳;约翰·Y·施潘 | 申请（专利权）人： | 斯考皮欧技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲;黄隶凡 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于跨两种或更多种材料分裂光子功能的复合器件包括基台、芯片以及将芯片固定至基台的接合部。基台包括基底层和器件层。器件层包含硅并且具有使基底层的一部分露出的开口。芯片(III‑V族材料)包括有源区(例如，用于激光器的增益介质)。芯片被接合至基底层的通过开口露出的部分，使得芯片的有源区与基台的器件层对准。涂层将芯片密封在基台中。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 直接 芯片 光子 器件 中的 集成 | ||
【主权项】：
一种用于跨两种或更多种材料分裂光子功能的复合器件，所述复合器件包括：基台，所述基台包括：基底层；在所述基底层之上的器件层，其中：所述器件层包含第一材料；所述第一材料为半导体；以及所述器件层包括形成所述器件层中的开口的多个壁，使得所述基台的所述基底层的一部分通过所述器件层露出；芯片，其中：所述芯片包括有源区；以及所述有源区包含第二材料；接合部，所述接合部将所述芯片固定至所述基台，其中：所述芯片被固定至所述基台的所述基底层；以及所述基台的所述器件层与所述芯片的所述有源区对准；以及涂层，其中所述涂层将所述芯片密封在所述基台中。
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