[发明专利]用于纯化半导体单壁碳纳米管的方法

摘要

一种两步sc‑SWCNT富集方法涉及基于使用共轭聚合物对半导体SWCNT进行选择性分散和提取的第一步骤，继而是基于吸附过程的第二步骤，其中使所述第一步骤的产物暴露于无机吸收介质以主要选择性地结合金属SWCNT，以使得仍分散在溶液中之物进一步富集半导体SWCNT。所述方法可容易按比例缩放用于具有在例如约0.6nm至2.2nm范围的平均直径的大直径半导体单壁碳纳米管(sc‑SWCNT)的富集。所述第一步骤以高产率产生具有中等sc纯度(98％)的富集的sc‑SWCNT分散液，或以低产率产生具有高纯度(99％和更高)的富集的sc‑SWCNT分散液。所述第二步骤不仅可以提高所述具有中等纯度的由聚合物富集的sc‑SWCNT的纯度，而且还可以将所述高度纯化的样品进一步提升到超纯的水平。因此，这种两步混合方法提供了具有超高纯度的sc‑SWCNT材料以及高sc纯度(例如大于99％)和高产率(高达约20％或更高)这两者。

主权项

1.一种用于将半导体单壁碳纳米管(sc-SWCNT)与金属单壁碳纳米管(m-SWCNT)选择性地分离的方法，所述方法包括：在非极性溶剂中使用共轭聚合物对sc-SWCNT和m-SWCNT的混合物进行提取以产生富集的sc-SWCNT分散液；以及使所述富集的sc-SWCNT分散液暴露于非极性溶剂中的无机吸附介质，所述无机吸附介质选择性地结合所述m-SWCNT以将所述sc-SWCNT与所述m-SWCNT进一步分离。