[发明专利]处理材料的自由表面的方法和装置在审
| 申请号： | 201480055854.8 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105765115A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | J·尚普立奥德;M·阿尔巴里克;L·帕塔蒂 | 申请（专利权）人： | 原子能及能源替代委员会 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张力更 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本方法包括发送至少一股第一气体流(12)的步骤，由第一气体流(12)清扫材料(15)的自由表面的步骤，接着是通过至少一个排出区排出第一气体流的步骤。与发送第一气体流(12)的步骤同时地，实施发送至少一股第二气体流(13)的步骤，第二气体流在材料(15)的自由表面上方、距所述自由表面一定间隔形成保护盖。第二气体流(13)通过容器(10)的所述排出区的上部排出，而所述第一气体流(12)通过排出区的下部排出。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 材料 自由 表面 方法 装置 | ||
【主权项】：
处理材料的自由表面的方法，包括发送至少一股第一气体流(QL1pur‑QL4pur和QCpur)的步骤(E1)，由第一气体流(QL1pur‑QL4pur和QCpur)清扫材料的自由表面的步骤(E2)，接着是通过至少一个排出区(103a‑103d)排出第一气体流的步骤(E3)，其特征在于，该方法包括，与发送第一气体流(QL1pur‑QL4pur和QCpur)的步骤(E1)同时地，发送至少一股第二气体流(Qapro‑Qdpro)的步骤(E4)，该第二气体流(Qapro‑Qdpro)在材料(15)的自由表面的上方、距所述自由表面一定间隔形成保护盖，以及通过容器(10)的所述排出区(103a‑103d)的上部排出第二气体流(Qapro‑Qdpro)的步骤(E6)，所述第一气体流(QL1pur‑QL4pur和QCpur)通过排出区(103a‑103d)的下部排出。
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