[发明专利]存储器单元结构、制造存储器的方法以及存储器设备

摘要

本公开涉及使得能够提供MRAM的存储器单元结构的存储器单元结构、存储器制造方法以及存储器装置，其减小连接到MTJ的牵引布线的电阻、减小存储器单元的面积并避免由于热导致的MTJ的性能退化。存储器单元包括：晶体管，其使用在通过将硅衬底加工为槽形而形成的凹部的底部中形成的第一扩散层和在凹部的两个相对侧壁部分各自的上端部中形成的第二扩散层来在两个侧壁部分中、第一扩散层和第二扩散层之间的部分处形成沟道；以及存储器元件，其设置在第一扩散层之下。第一扩散层经由在使硅衬底薄膜化之后形成的触点而电连接到存储器元件。

主权项

1.一种存储器单元结构，包括：晶体管，所述晶体管使用在通过将硅衬底加工为槽形而形成的凹部的底部中形成的第一扩散层和在所述凹部的两个相对侧壁部分各自的上端部中形成的第二扩散层，来在两个侧壁部分中、所述第一扩散层和所述第二扩散层之间的部分处形成沟道；以及存储器元件，所述存储器元件设置在所述第一扩散层之下，所述第一扩散层经由在使所述硅衬底薄膜化之后形成的触点而电连接到所述存储器元件。