[发明专利]蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480056597.X 申请日: 2014-10-09
公开(公告)号: CN105637113B 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 武田利彦;小幡胜也;川崎博司 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;H01L51/50;H05B33/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 刘晓迪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模,及提供精度良好的有机半导体元件的的制造方法。在设有与蒸镀图案对应的开口部的树脂掩模的面上层积设有缝隙的金属掩模而构成的蒸镀掩模中,树脂掩模的开口部的内壁面在厚度方向截面具有至少一个拐点,将树脂掩模的不与金属掩模相接侧的面(第一面)和内壁面的交点设为第一交点,将树脂掩模的与金属掩模相接侧的面(第二面)与内壁面的交点设为第二交点,使将从第一交点朝向第二交点位于最初的拐点(第一拐点)和第一交点连接的直线与第一面所构成的角度(01)大于将第一拐点和第二交点连接的直线和第二面所构成的角度,并且将厚度方向截面中的内壁面的形状设成从第一面朝向第二面侧扩大的形状,由此即使在大型化的情况下,也可满足高精细化和轻量化,并且可在保持开口部的强度的同时,抑制阴影产生。
搜索关键词: 蒸镀掩模 框架 有机半导体 元件 制造 方法
【主权项】:
1.一种蒸镀掩模,在设有与要蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模的一面上层积有设有缝隙的金属掩模,其特征在于,用于构成所述树脂掩模的所述开口部的内壁面在厚度方向截面具有至少一个拐点,在所述厚度方向截面,将所述树脂掩模的不与所述金属掩模相接侧的面即第一面和所述内壁面的交点设为第一交点,将所述树脂掩模的与所述金属掩模相接侧的面即第二面和所述内壁面的交点设为第二交点,将所述拐点中从所述第一交点朝向第二交点位于最初位置的拐点设为第一拐点时,使连接所述第一交点和所述第一拐点的直线与所述第一面所构成的角度(θ1)大于连接所述第一拐点和所述第二交点的直线与所述第二面所构成的角度(θ2),所述内壁面在厚度方向截面具有从所述第一面朝向所述第二面侧扩大的形状。
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