[发明专利]与等离子体源耦合的LED型光源有效
| 申请号： | 201480056680.7 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105874569B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 萨布哈什·德什;约瑟夫·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种被配置成从基板的表面和从基板处理腔室的内部移除金属蚀刻副产物的设备。等离子体与固态光源(诸如LED)结合使用以脱附金属蚀刻副产物。接着可从腔室移除被脱附的副产物。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 耦合 led 光源 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理系统，包括：基板处理腔室，所述基板处理腔室具有由一个或更多个腔室壁围绕的基板处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件被配置成在基板处理操作期间于所述基板处理区域中支撑基板；气体输送系统，所述气体输送系统被配置成将一种或更多种工艺气体输送至所述基板处理区域；等离子体源，所述等离子体源操作性地耦接至所述基板处理腔室；窗口，所述窗口位于所述腔室壁中的一个腔室壁上；多个LED，所述多个LED位于所述基板处理腔室的外部，并且所述多个LED被配置成通过所述窗口将辐射发射到所述腔室中；以及控制器，所述控制器操作性地耦接至所述等离子体源和所述多个LED，所述控制器被配置成产生用于所述等离子体源的一系列脉冲和用于所述多个LED的一系列脉冲，其中，于每个时钟周期内，用于所述多个LED的一脉冲的开始是在用于所述等离子体源的一脉冲期间，并且用于所述多个LED的所述脉冲的结束是在用于所述等离子体源的所述脉冲之后。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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