[发明专利]接合用银片及其制造方法，以及电子部件接合方法有效
| 申请号： | 201480056727.X | 申请日： | 2014-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN105637595B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 栗田哲;远藤圭一;三好宏昌 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/02 | 分类号： | H01B5/02;B22F1/00;B22F3/10;B22F5/10;B22F9/00;H01B5/14;H01B13/00;H01L21/52;B22F1/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供采用3MPa以下的低加压力得到高接合强度的接合用银片。该银片是粒径1～250nm的银粒子通过烧结而一体化的银片，升温至满足270≤TA<TB≤350的T3A～TB(℃)进行保持时，具有进一步进行烧结的性质的接合用银片。该银片是通过如下制造：把包含粒径1～250nm的银粒子的银粉、与在200℃以下的温度区域进行挥发的分散介质混合的银糊的涂膜，在不发生烧结的温度区域加热处理后，于赋予5～35MPa加压力的状态下，可用170～250℃的温度进行烧成的方法来制造。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 烧结 银片 用银 温度区域 加压力 银粒子 粒径 制造 电子部件 分散介质 加热处理 挥发 可用 烧成 涂膜 银粉 银糊 一体化 赋予 | ||
【主权项】：
接合用银片的制造方法，其具有:将包含粒径1～250nm的银粒子的银粉、与下述(A)定义的25％挥发温度T25(℃)处在100℃以上200℃以下的温度区域的分散介质混合的银糊，于基板上涂布的工序；上述涂布后的涂膜，在上述T25(℃)以上且不产生银粒子烧结的温度区域进行加热处理，使上述分散介质进行挥发的工序；以及上述加热处理后的涂膜，在赋予5～35MPa的加压力状态下，于170～250℃的温度进行烧成，得到银粒子通过烧结而一体化的银片的工序，(A)将上述银糊供给在大气中从常温以10℃/min进行升温的热重量分析(TG)时、由下述(2)式确定的分散介质的重量减少率成为25％的温度，作为25％挥发温度T25(℃):[分散介质的重量减少率(％)]＝[通过热重量分析的升温而已挥发的分散介质的累计质量(g)]/[供给热重量分析前的银糊试样中存在的分散介质总质量(g)]×100···(2)。
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