[发明专利]具纳米解析的形貌特征的选定表面区域上直接表面官能化在审
| 申请号： | 201480056846.5 | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105637355A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | J·巴尔德奥夫;S·哈雷尔;C·希伯 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种在纳米孔结构中制作单分子受体的方法，包括：通过物理气相沉积(PVD)技术将材料沉积到纳米通道的选定内表面上，以及以具有至少两个官能基的化学化合物将该材料的表面官能化。该材料形成具有直径为约3至约10,000纳米(nm)的贴片。还公开了多个包括单分子受体的纳米孔结构的具体实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 解析 形貌 特征 选定 表面 区域 直接 官能 | ||
【主权项】：
一种在纳米孔结构中制作单分子受体的方法，该方法包括：通过物理气相沉积(PVD)技术将材料沉积到纳米通道的选定内表面上，该材料形成具有直径为约1至约100纳米(nm)的贴片；以及以具有至少两个官能基的化学化合物将该材料的表面官能化。
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