[发明专利]包含氮化钼、氮氧化钼或基于钼的合金材料的半导体结构以及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体结构，其可包含在衬底上的第一电极、在所述第一电极上的高K电介质材料，及在所述高K电介质材料上的第二电极，其中所述第一电极及所述第二电极中的至少一者可包含选自由以下各者组成的群组的材料：氮化钼Mo_aN_b材料、氮氧化钼MoO_xN_y材料、氧化钼MoO_x材料，及包括钼及氮的基于钼的合金材料。

主权项

1.一种半导体结构，其包括：第一电极，其在衬底上；高K电介质材料，其在所述第一电极上；及第二电极，其在所述高K电介质材料上，所述第一电极包括所述衬底上方的第一部分以及所述第一部分上方的第二部分，所述第一电极的所述第一部分的材料选自由以下各材料组成的群组：二氧化钌、氧化铱、氧化钼、氧化钨、氧化铬、氧化锰、氧化锡、氧化钴及其组合，所述第一电极的所述第二部分的材料选自由以下各材料组成的群组：氮化钼MoaNb材料、氮氧化钼MoOxNy材料以及包括钼及氮的基于钼的合金材料，且所述第二电极的材料选自由以下各材料组成的群组：二氧化钌、氧化铱、氧化钼、氧化钨、氧化铬、氧化锰、氧化锡、氧化钴及其组合，或者所述第一电极的材料选自由以下各材料组成的群组：二氧化钌、氧化铱、氧化钼、氧化钨、氧化铬、氧化锰、氧化锡、氧化钴及其组合，且所述第二电极包括所述高K电介质材料上方的第一部分以及所述第一部分上方的第二部分，所述第二电极的所述第二部分的材料选自由以下各材料组成的群组：二氧化钌、氧化铱、氧化钼、氧化钨、氧化铬、氧化锰、氧化锡、氧化钴及其组合，所述第二电极的所述第一部分的材料选自由以下各材料组成的群组：氮化钼MoaNb材料、氮氧化钼MoOxNy材料以及包括钼及氮的基于钼的合金材料，或者所述第一电极包括所述衬底上方的第一部分以及所述第一部分上方的第二部分，所述第一电极的所述第一部分的材料选自由以下各材料组成的群组：二氧化钌、氧化铱、氧化钼、氧化钨、氧化铬、氧化锰、氧化锡、氧化钴及其组合，且所述第一电极的所述第二部分的材料选自由以下各材料组成的群组：氮化钼MoaNb材料、氮氧化钼MoOxNy材料以及包括钼及氮的基于钼的合金材料，且所述第二电极包括所述高K电介质材料上方的第一部分以及所述第一部分上方的第二部分，所述第二电极的所述第一部分的材料选自由以下各材料组成的群组：氮化钼MoaNb材料、氮氧化钼MoOxNy材料以及包括钼及氮的基于钼的合金材料，且所述第二电极的所述第二部分的材料选自由以下各材料组成的群组：二氧化钌、氧化铱、氧化钼、氧化钨、氧化铬、氧化锰、氧化锡、氧化钴及其组合。